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　　清洗不僅是半導體制造工藝的重要組成部分，也是影響半導體器件成品率的重要因素之一。清洗是晶圓加工和制造過程中的一個重要部分。為了將雜質對芯片成品率的影響降低，在實際生產過程中，不僅要保證單次清洗的效率，而且要在幾乎所有工藝前后進行頻繁的清洗。它是單晶硅晶片制造、光刻、刻蝕、沉積等關鍵工藝中必不可少的環節。

　　1、在硅片制造過程中，需要對拋光硅片進行清洗，以保證其表面平整度和性能，從而提高后續加工的成品率。

　　2、在晶圓制造過程中，需要在光刻、蝕刻、離子注入、脫膠、成膜、機械拋光等關鍵工序前后對晶圓進行清洗，以去除晶圓污染的化學雜質，降低缺陷率，提高成品率。

　　3、在芯片封裝過程中，需要根據封裝工藝對芯片進行TSV(硅穿孔)清洗、UBM/RDL(凸點底部金屬/膜重分布技術)清洗和鍵合清洗。

　　在進入每個工藝之前，硅片表面必須清潔，清潔步驟必須重復多次，以去除表面上的污染物。芯片制造需要在無塵室內進行。在芯片制造過程中，任何污染都會影響芯片上器件的正常功能。污染雜質是指半導體制造過程中引入的任何物質，這些物質會危及芯片的產量和電氣性能。具體污染物包括顆粒物、有機物、金屬和天然氧化層。這些污染物包括來自環境、其他制造工藝、蝕刻副產品、研磨液等。如果不及時清除上述受污染的雜質，可能導致后續工藝失敗，導致電氣故障，導致芯片報廢。

　　隨著半導體工業的不斷發展，對清潔水的電導率、離子含量、TOC、DO和顆粒物的要求越來越嚴格。由于超純水在許多指標上對半導體的要求很高，因此半導體行業的超純水與其他行業的用水要求不同。半導體行業對超純水有極其嚴格的水質要求。目前，中國常用的超純水標準有國家標準《電子級水》(GB/T 11446.1-2013)和美國標準《電子和半導體行業用超純水指南》(ASTM-D5127-13)。美國標準對指標要求更嚴格。

　　超純水在生產過程中，要經過預處理系統、雙級反滲透系統、EDI系統、拋光混床和終端超濾等過程。超純水膜元件特別適用于電子級超純水EDI系統前處理工藝，可以有效控制電子級超純水系統的TOC含量。EDI系統前處理工藝是雙級反滲透系統工藝，超純水反滲透膜作為核心膜元件，具有高脫鹽率，高抗污染，對硼，硅，鍺等元素的高去除率，TOC溶出率更低，從而減小后續系統處理壓力，提高后續系統的使用周期和使用效果。

　　德蘭梅爾SCW超純水反滲透膜元件的化學清洗周期長，出水水質穩定，是超純水處理的理想選擇。德蘭梅爾膜元件在海水淡化，工業純水，電子超級水，中水回用，生物制藥，食品行業分離濃縮等領域都發揮著重要作用。